选型手册：VS1605ATM N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。
一、产品基本信息
器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
核心参数：
漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 6.3mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 9.4mΩ，中压场景下传导损耗低；
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时
