半导体制造中的激光开槽工艺介绍
文章来源:Jeff的芯片世界
原文作者:Jeff的芯片世界
本文介绍了半导体后道工序中的激光开槽工艺。该技术通过激光预先烧蚀材料,为后续刀片切割扫清障碍,能有效提升芯片切割质量和效率。
在半导体制造的后道工序中,将晶圆切割成独立的芯片是封装测试的第一步,其加工质量直接影响到最终产品的良率。随着芯片制程不断向40nm及以下节点发展,为了提升芯片处理速度并降低电阻电容延迟,业界普遍引入了低介电常数材料作为芯片内部的层间电介质。然而,这些Low-k材料多为有机高分子,具有耐热性差、结合强度低等特点,给传统的刀轮划片带来了巨大挑战。传统刀片切割容易导致Low-k材料出现分层、剥离或崩边等