选型手册：VS1605ATM N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

科技时尚 2026-01-05 广盈财人 3839

威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

  • 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
  • 核心参数：
    • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
    • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 6.3mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 9.4mΩ，中压场景下传导损耗低；
    • 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 94A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 58A，承载能力极强；
    • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：333A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

  • VeriMOS® II 技术：兼顾低导通电阻与快速开关特性，提升中压电源能效；
  • 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 169mJ，抗冲击能力强；
  • TO-220AB 封装：直插封装适配大功率电路，散热性能优异；
  • 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数 符号 数值（Rating） 单位
漏源极击穿电压

\(V_{DSS}\)

 100 V
栅源极电压

\(V_{GS}\)

 ±20 V
二极管连续正向电流

\(I_S\)

 90 A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 94；\(T=100^\circ\text{C}\): 58

 A
脉冲漏极电流

\(I_{DM}\)

 333 A
单脉冲雪崩能量

\(E_{AS}\)

 169 mJ
最大功耗

\(P_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): 160；\(T=100^\circ\text{C}\): 2.1

 W
工作 / 存储温度范围

\(T_J、T_{STG}\)

 -55~+175 ℃

四、封装与应用场景

  • 封装形式：TO-220AB 直插封装，包装规格为 50pcs/Tube；
  • 典型应用：
    • 100V 级中压大功率 DC/DC 转换器；
    • 工业设备、储能系统的中压超大电流负载开关；
    • 高功率电源管理系统的核心功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）

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